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熱釋電表征

更新時間:2020-07-14      點擊次數:1638

  熱釋電效應的強弱可用熱釋電系數來表示。在溫度變化?T的情況下,如果晶體自發(fā)極化強度改變了?P,則?P與?T間的關系可用下式表示?P=p?T 

值范圍分別為i=1,2,3,4,5,6。由于晶體加熱時,要保持晶體應變?yōu)榱愕臈l件是不易實現的,所以在一般情況下測得的是自由熱釋電系數。

  反過來,對熱釋電晶體絕熱施加電場時,其溫度將發(fā)生變化,這種效應稱為逆熱釋電效應或電生熱效應。

  利用熱釋電效應可制成良好的紅外敏感元件。其對熱釋電材料的要求是:①能充分吸收入射的紅外線;②為了使吸收的單位熱能對應大的溫度上升幅度,熱釋電材料體比熱應小,且方便加工成微型或薄膜化元件;③跟溫度對應的表面電荷變化大,即熱釋電系數p大,室溫下的戶值p大,T(居里溫度)適當高時,熱釋電系數p變大(T低使工作溫度受到限制,且熱釋電系數p的溫度變化也大);④與表面電荷變化相應的電容小,即材料的介電量?。虎輼嫵缮ぢ曉粗坏慕殡姄p耗角正切tanδ小。

 

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